×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
×
English
Toggle navigation
首页
关于本刊
期刊简介
期刊收录
编委会
第四届编委会
历届编委会
学术诚信
学术诚信
预防与处理学术不端行为办法
投稿指南
投稿须知
论文模板
资料下载
审稿中心
审稿指南
诚邀专家
期刊订阅
旧版网站
投稿审稿
编辑办公
基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型
曹瀚,余玮宸,柴晓光,宁圃奇,温旭辉
Genetic Algorithm Based SiC MOSFET On-state Resistance Model
CAO Han, YU Weichen, CHAI Xiaoguang, NING Puqi and WEN Xuhui
电源学报 . 2020, (
4
): 38 -44 . DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.38