基于开通瞬态漏源电压的SiC MOSFET结温监测方法

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2026.8.14

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电源学报 ›› 2026, Vol. 24 ›› Issue (8) : 14-23. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2026.8.14

功率半导体器件与驱动

基于开通瞬态漏源电压的SiC MOSFET结温监测方法

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Junction Temperature Monitoring Method for SiC MOSFET Based on Turn-on Transient Drain-source Voltage

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Received	Revised	Accepted	Published
2024-09-12	2024-11-12	2025-02-05	2026-08-30
Issue Date
2026-09-07

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