一种抑制GaN HEMT栅极尖峰电压的RCD电路设计

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2026.7.29

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电源学报 ›› 2026, Vol. 24 ›› Issue (7) : 29-38. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2026.7.29

功率半导体器件与驱动

一种抑制GaN HEMT栅极尖峰电压的RCD电路设计

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An RCD Circuit Design to Suppress Gate Peak Voltage of GaN HEMT

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2024-04-01	2024-08-13	2026-07-30
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2026-08-17

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