考虑寄生电容和电感影响的SiC MOSFET三相全桥损耗计算方法

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2025.4.295

PDF(2912 KB)

电源学报 ›› 2025, Vol. 23 ›› Issue (4) : 295-305. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2025.4.295

功率半导体器件

考虑寄生电容和电感影响的SiC MOSFET三相全桥损耗计算方法

{{article.zuoZhe_CN}}

作者信息 +

Loss Calculation Method for SiC MOSFET in Three-phase Full-bridge Considering Parasitic Capacitance and Parasitic Inductance

{{article.zuoZhe_EN}}

Author information +

History +

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2025, 23(4): 295-305 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2025.4.295

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2025, 23(4): 295-305 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2025.4.295

参考文献

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

参考文献

基金

版权

PDF(2912 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

Received	Revised	Accepted	Published
2022-05-11	2022-08-03	2022-08-15	2025-07-30
Issue Date
2025-09-11

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

参考文献

参考文献

{{custom_fnGroup.title_cn}}

脚注

{{custom_ack.title_cn}}

基金

版权