一种用于改善IGBT 开关过冲的主动栅极控制技术

谢海超, 王学梅

PDF(40021 KB)
PDF(40021 KB)
电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (4) : 280-291. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.4.280
功率半导体器件

一种用于改善IGBT 开关过冲的主动栅极控制技术

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

Active Gate Control Technology for Improving Switching Overshoots of IGBTs

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
History +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2024, 22(4): 280-291 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2024.4.280
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2024, 22(4): 280-291 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2024.4.280

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(40021 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/