动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.211

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电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (3) : 211-219. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.211

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动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究

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Test Platform and Degradation Mechanism of SiC MOSFET under Dynamic High-temperature Reverse Bias Stress

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Received	Revised	Accepted	Published
2024-01-31	2024-02-09	2024-02-23	2024-05-30
Issue Date
2024-06-27

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