SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究

俞恒裕,王俊,江希,陈建军

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电源学报 ›› 2020, Vol. 18 ›› Issue (4) : 28-37. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.28
SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究

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Comparative Study on Temperature-sensitive Electrical Parameters of SiC MOSFET and Si IGBT

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