3 300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10

PDF(1087 KB)

电源学报 ›› 2020, Vol. 18 ›› Issue (4) : 10-14. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

3 300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

{{article.zuoZhe_CN}}

作者信息 +

Investigation on the Reliability of Gate Oxide in 3 300 V SiC MOSFET

{{article.zuoZhe_EN}}

Author information +

History +

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2020, 18(4): 10-14 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2020, 18(4): 10-14 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10

参考文献

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

参考文献

基金

版权

PDF(1087 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

参考文献

参考文献

{{custom_fnGroup.title_cn}}

脚注

{{custom_ack.title_cn}}

基金

版权

Published
2020-07-30
Issue Date
2020-07-30