基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.91

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电源学报 ›› 2019, Vol. 17 ›› Issue (3) : 91-102. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.91

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源

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High-performance eGaN FET-based Bus Converters for 48 V Power Architecture

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2019-05-30
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2019-05-30