600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.57

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电源学报 ›› 2019, Vol. 17 ›› Issue (3) : 57-63. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.57

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计

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Design of Gate Drive Scheme for 600 V Depletion-mode GaN Power Devices

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2019-05-30
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