基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.53

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电源学报 ›› 2019, Vol. 17 ›› Issue (3) : 53-56. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.53

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术

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Monolithic Integration of GaN HEMT Power Electronic Devices and Digital Circuit Based on p-GaN Structure

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2019-05-30
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