基于新型1200 V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.59

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电源学报 ›› 2016, Vol. 14 ›› Issue (4) : 59-65,81. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.59

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

基于新型1200 V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究

{{article.zuoZhe_CN}}

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Study of Three-phase Bi-directional Inverter Based on New Generation 1 200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

{{article.zuoZhe_EN}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2016, 14(4): 59-65,81 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.59

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2016, 14(4): 59-65,81 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.59

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{{custom_sec.title}}

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{{custom_fnGroup.title_cn}}

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{{custom_ack.title_cn}}

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Published
2016-07-30
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2016-07-30