1200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.32

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电源学报 ›› 2016, Vol. 14 ›› Issue (4) : 32-38,58. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.32

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

1200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究

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Comparative Performance Study of 1 200 V SiC MOSFET and Si IGBT

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Published
2016-07-30
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2016-07-30