改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.28

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电源学报 ›› 2016, Vol. 14 ›› Issue (4) : 28-31. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.28

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型

{{article.zuoZhe_CN}}

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Improved Spice Model for Silicon Carbide MOSFETs

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2016, 14(4): 28-31 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.28

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2016, 14(4): 28-31 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.28

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2016-07-30
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2016-07-30