选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.14

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电源学报 ›› 2016, Vol. 14 ›› Issue (4) : 14-20. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.14

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究

{{article.zuoZhe_CN}}

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Research on GaN Based Trench Gate Normally-off MOSFET Using Selective Area Growth Technique

{{article.zuoZhe_EN}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2016, 14(4): 14-20 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.14

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2016, 14(4): 14-20 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.14

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{{custom_sec.title}}

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2016-07-30
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2016-07-30