基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.103

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电源学报 ›› 2016, Vol. 14 ›› Issue (4) : 103-111. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.103

SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器

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SiC Single Phase Inverter with High Power Density Based on Packaging Integration Technology

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2016-07-30
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