• 首页|关于本刊|编委阵容|投稿指南|审稿指南|订阅指南|征稿启事|诚邀专家|学术道德|English
  • E-mail:
  • 密 码: 
  •    
  • 用户名:
  • 密 码: 
  •    
最新录用 更多>>

 

《电源学报》

GaN功率电子器件及应用专辑征文启事

 

         与传统的电力电子器件相比,GaN功率电子器件具有通态电阻小、开关速度快、开关损耗小等优点,可以满足应用中对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。全面开展GaN功率电子器件的关键技术问题及应用问题的研究,在节约能源、提高电能的利用率等方面具有重大意义。

        近年来,国内关于GaN功率电子器件的研究取得了较为明显的进展,然而与欧美等发达国家相比较仍有一定的差距。这一问题已经得到政府的高度的重视。在《“十二五”国家战略性新兴产业发展规划》和科技部“十三五”国家重点研发计划的引领下,第三代宽禁带半导体技术特别是GaN功率半导体技术有望成为未来中国科技创新的领航技术。

        基于目前GaN功率电子器件及应用研究热点问题,《电源学报》特别推出“GaN功率电子器件及应用”专辑,特别聘请西安交通大学杨旭教授和中山大学刘扬教授担任本专辑的客座主编,以期推进GaN功率电子器件研究和应用中技术难点和热点问题的讨论。

特邀主编:杨 旭 教授(西安交通大学) 

                 刘 扬 教授(中山大学)

专辑刊期:2019年第3期

一、 征稿范围

1.   GaN基功率电子器件(二极管、三极管等)的关键技术及挑战。

2.   GaN功率电子器件的封装技术及应用。

3.   GaN功率电子器件的可靠性研究及失效机理分析。

4.   GaN功率电子器件的驱动技术及进展。

5.   GaN功率电子器件的电路拓扑技术。

6.   GaN功率电子器件静态和动态特性建模及测试技术。

二、 时间节点

投稿截止日期: 2019年2月28日

录用通知日期: 2019年3月15日

终稿提交时间: 2019年3月31日

计划出版日期: 2019年5月底

三、 征稿要求

        来稿应为作者首发稿,要求主题突出、论点明确、条理清楚,具有科学性、创新性、实用性或参考价值,不得涉及国家机密。来稿文责自负,请勿一稿多投。稿件如涉及协作单位及合作者,名称及排序须在原稿中明确注明,否则引起纠纷由作者自行负责。

四、 投稿方法

        作者请登录《电源学报》官方网站http://www.jops.cn ,在“作者登录”专区进行注册、登录,参考“投稿指南”、“投稿须知”和“论文模板”完成投稿。投稿时备注“GaN功率电子器件及应用专辑”字样。

五、 联系方式

中国电源学会《电源学报》编辑部;

通信地址:天津市南开区黄河道467号大通大厦16层;邮编:300110。

电话:022-27686327        E-mail: jops@cpss.org.cn

网址:http://www.jops.cn

 

欢迎投稿!

 

GaN功率电子器件及应用专辑征稿启事.pdf(点击可下载)