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采用SiC MOSFET与Si MOSFET的双有源桥效率仿真分析对比
Dual Active Bridge Bi-directional DC-DC Proficiency Simulation based on SiC and Si MOSFET
投稿时间:2018-08-03  修订日期:2018-09-01
DOI:
中文关键词:  双有源桥  仿真分析  SiC MOSFET
英文关键词:dual active bridge  simulation  SiC MOSFET
基金项目:
作者单位E-mail
刘昌赫 同济大学新能源汽车工程中心 white9861@163.com 
王学远 同济大学新能源汽车工程中心 white940928@163.com 
摘要点击次数: 68
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中文摘要:
      通过搭建单管效率仿真模型,从功率耗散角度分析SiC MOSFET相较Si MOSFET的优势。此后结合Ansoft Maxwell有限元分析建立了适用于给定工况下效率仿真的变压器等效模型,基于双有源桥双向DC-DC拓扑进行效率仿真,对比不同开关频率相同输入输出工况下全负载范围内二者效率差别,总结SiC MOSFET优势所在与适用工况范围。
英文摘要:
      By building a single-tube efficiency simulation model, the advantages of SiC MOSFETs compared to Si MOSFETs are analyzed from the per-spective of power dissipation. Combining with Ansoft Maxwell finite element analysis, an equivalent model of the transformer suitable for effi-ciency simulation under a given operating condition was established. The efficiency simulation was performed based on the dual active bridge bi-directional DC-DC topology, and the efficiency difference was compared under different condition.
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